镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响

• 作者: 何春山 李志兵 王伟良 陈桂华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 镜像势 碳纳米管 场致发射
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 241-245
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.z1.040

摘要

采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性.碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替.模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的碳纳米管阵列发射电流密度比没有考虑镜像势的结果增大了约6倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志兵	中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室	7	22	3.0	4.0
2	何春山	中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室	8	21	3.0	4.0
3	王伟良	中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室	4	5	1.0	2.0
4	陈桂华	东莞理工学院电子工程学院	12	12	2.0	3.0