Si3N4/TiN复相陶瓷常温导电性研究

• 作者: 吕庆 康志强 张淑会 薛向欣 陈红建
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Si3N4/TiN 复相陶瓷 导电性能 放电加工
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 2206-2209
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 3462字
• 语种: 中文

摘要

分析了以高硅铁尾矿合成的Si3N4粉和高钛渣为原料常压烧结制备的Si3N4/TiN复相陶瓷的常温导电性,并对其进行放电加工.研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω·cm.烧结温度升高,材料的电阻率略有降低.随放电加工速度的增加,加工表面的粗糙度明显增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛向欣	东北大学材料与冶金学院	336	3113	24.0	40.0
2	康志强	河北理工大学资源与环境学院	19	98	6.0	9.0
3	吕庆		3	5	1.0	2.0
4	张淑会		1	5	1.0	1.0
5	陈红建		1	5	1.0	1.0