11 kV大功率SiC光电导开关导通特性

• 作者: 常少辉 施尔畏 陈之战 黄维
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 光电导开关 上升沿 导通电阻 大功率
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 511-514
• 页数: 4页
• 分类号: TN29
• 字数: 2529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102203.0511

摘要

采用高质量半绝缘碳化硅(SiC)单晶材料制作了超快高耐压大功率SiC光电导开关.应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源,得到了脉宽为40 ns,上升沿为9.6 ns 的超快响应的电脉冲,开关的上升沿存在两个不同阶段.测试开关两端电压从1 kV到10 kV时开关导通的电压波形表明,开关的导通电阻随电压的增加不发生明显变化,开关在导通态时导通电阻在12 Ω左右.采用92 Ω精密电阻作为负载,计算得到开关两端外加11 kV电压时通过其电流峰值高达159 A,此时峰值功率达到1.4 MW,在此范围内未出现载流子饱和现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
2	陈之战	中国科学院上海硅酸盐研究所	23	556	13.0	23.0
3	黄维	中国科学院上海硅酸盐研究所	26	228	9.0	15.0
4	常少辉	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	19	1.0	2.0