特定条件下室温至166℃范围内硅的霍尔系数的变化

• 作者: 俞杭杰 张维加
• 来源期刊: 化学工程与装备
• 学科: 化学
• 关键词: 霍尔系数 特定条件 电阻率
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1-2
• 分类号: O6
• 字数: 953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0735.2010.10.001

摘要

本文测量了室温至166℃范围内硅的霍尔系数,发现在室温至166℃范围内,温度逐渐升高时,价带上的电子开始激发到导带,RH=0:当温度升高时更多电子激发到导带,RH达最大值;而当温度继续升高,到达本征范围,载流子浓度远远超过受主浓度,曲线按指数下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维加	北京大学物理系	11	3	1.0	1.0
5	俞杭杰	北京大学物理系	1	1	1.0	1.0