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GaN半导体探测器的性能测试
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文献信息
| 篇名 | GaN半导体探测器的性能测试 | ||
| 来源期刊 | 中国原子能科学研究院年报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 半导体探测器 性能测试 GaN 第三代半导体材料 饱和漂移速度 高科技领域 化学性质 禁带宽度 | ||
| 年，卷（期） | 2010,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 481-482 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TL814 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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半导体探测器
性能测试
GaN
第三代半导体材料
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期刊影响力
中国原子能科学研究院年报
主办单位：
中国原子能科学研究院
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
大16开
出版地：
北京275信箱65分箱
邮发代号：
创刊时间：
1978
语种：
chi
出版文献量（篇）
6253
总下载数（次）
51
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1305
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