镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究

• 作者: 刘秀喜 王公堂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 镓铝双质掺杂 机理 晶闸管 性能
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1964-1969
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

依据Ga,A1在Si和SiO_2中的扩散行为和特性,采用SiO_2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次高温连续完成.该项掺杂技术能实现Si中的高均匀掺杂,扩散参数具有良好的重复性和一致性,可获得较理想的杂质浓度分布.Ga,Al与Si的共价半径相接近,高温后又采取缓慢降温等措施,能明显减少晶格缺陷,提高少子寿命,降低压降.研究了受主双质掺杂与晶闸管参数之间的关系,并对镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理进行了深入的分析与讨论.研究表明,镓铝双质受主掺杂有利于提高晶闸管的耐压水平和浪涌能力,能明显改善电流特性、触发特性和动态特性,优于其他受主掺杂技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王公堂	山东师范大学物理与电子科学学院	32	104	6.0	8.0
2	刘秀喜	山东师范大学物理与电子科学学院	9	6	2.0	2.0