纳米Si/SiNx超晶格实现Nd:YVO4激光被动调Q

• 作者: 张培 杨先才 沈海波 王加贤 王燕飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光技术 纳米Si/SiNx超晶格薄膜 被动调Q 1 342 nm激光 双光子吸收
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 88-91
• 分类号: O436
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料.把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd:YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因.对纳米si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0
2	杨先才	华侨大学信息科学与工程学院	4	3	1.0	1.0
3	王燕飞	华侨大学信息科学与工程学院	6	5	2.0	2.0
4	张培	华侨大学信息科学与工程学院	6	10	2.0	2.0
5	沈海波	华侨大学信息科学与工程学院	2	1	1.0	1.0