300mm铜膜低压CMP速率及一致性

• 作者: 刘效岩 刘玉岭 王辰伟 田雨 胡轶 邢少川
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低压 化学机械抛光(CMP) 碱性抛光液 抛光速率 片内非均匀性(WIWNU)
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 加工测量设备
• 页码范围: 816-后插1
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.12.012

摘要

随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89 kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何兼顾超低压力下抛光速率和速率一致性成为关键问题.对300 mm Blanket铜膜进行了低压化学机械抛光实验,分析研究了碱性抛光液组分及抛光工艺参数对铜膜去除速率及其一致性的影响.通过实验可得,在低压力1 kPa,流量200 mL/min,转速30 r/min,氧化剂体积分数2％,磨料体积分数30％,螯合剂体积分数3％时,抛光速率为330 nm/min,表面非均匀性为0.049,抛光后表面粗糙度为0.772 nm,得到了较为理想的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	刘效岩	河北工业大学微电子研究所	20	133	8.0	10.0
3	胡轶	河北工业大学微电子研究所	8	60	6.0	7.0
4	田雨	河北工业大学微电子研究所	4	25	3.0	4.0
5	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
6	邢少川	河北工业大学微电子研究所	3	24	3.0	3.0