自蔓延高温合成制备单相氮化硅镁粉体

• 作者: 刘光华 李江涛 杨建辉 陈义祥
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自蔓延高温合成 氮化硅镁 稀释剂
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 177-181
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文

摘要

通过自蔓延高温合成技术制备了以MgSiN2为主相的粉体,然后利用酸洗工艺除去杂质得到单相MgSiN2粉体.研究了原料配比、稀释剂MgSiN2的添加量和N2压力对燃烧合成产物相组成的影响,并探讨了酸洗条件对洗除MgO杂质的影响.研究结果表明,以化学计量比配制的原料,难以通过自蔓延高温合成法直接合成单相的MgSiN2粉体;在原料中使Mg粉过量,并对自蔓延高温合成产物进行酸洗处理,是制备单相MgSiN2粉体的一种简单、实用的有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈义祥	中国科学院理化技术研究所	17	100	5.0	9.0
2	李江涛	中国科学院理化技术研究所	69	814	14.0	26.0
3	刘光华	中国科学院理化技术研究所	11	61	5.0	7.0
4	杨建辉	中国科学院理化技术研究所	5	37	3.0	5.0