Investigation of AlGaN/GaN fluorine plasma treatment enhancement-mode high electronic mobility transistors by frequency-dependent capacitance and conductance analysis

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Investigation of AlGaN/GaN fluorine plasma treatment enhancement-mode high electronic mobility transistors by frequency-dependent capacitance and conductance analysis

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AlGaN/GaN

enhancement-mode high electronic mobility transistors

fluorine plasma treatment

frequency dependent capacitance and conductance

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篇名	Investigation of AlGaN/GaN fluorine plasma treatment enhancement-mode high electronic mobility transistors by frequency-dependent capacitance and conductance analysis
来源期刊	中国物理B（英文版）	学科
关键词	AlGaN/GaN enhancement-mode high electronic mobility transistors fluorine plasma treatment frequency dependent capacitance and conductance
年，卷（期）	2011,（1）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	643-646
页数	4页	分类号
字数		语种	英文
DOI	10.1088/1674-1056/20/1/018101

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