GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出

• 作者: 肖云钞 郭方敏
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/InGaAs 量子点-量子阱光电二极管 光子存储 CTIA读出电路 倒空信号
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 281-283
• 分类号: TN215
• 字数: 2132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.05.008

摘要

通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点.量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路.在633 nm辐照下,分别改变照度和积分时间进行了非倒空和倒空测试的对比研究,并计算给出了对应的存储电荷变化量,进一步证明了光电器件的光子存储特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖云钞		1	1	1.0	1.0
2	郭方敏		3	5	1.0	2.0