808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计

• 作者: 刘云 史晶晶 李再金 杨晔 梁雪梅 王烨 王立军 王超 秦莉 胡黎明
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器线阵列 隔离沟道 腐蚀深度 电流扩散 电流分布
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 35-38
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112301.0035

摘要

采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列.并对载流子分布进行理论分析和模拟.理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高.随着沟道的加深.对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能.