808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺

• 作者: 徐晨 徐遵图 朱彦旭 沈光地 舒雄文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子辅助镀膜(IAD) 阈值电流密度 微分量子效率
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 571-575
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.028

摘要

用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由0.7提高到1.24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高.对这种方法所镀制的SiO2/TiO2膜用作808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒雄文	北京工业大学光电子技术实验室	8	67	4.0	8.0
2	徐晨	北京工业大学光电子技术实验室	63	295	9.0	13.0
3	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
4	朱彦旭	北京工业大学光电子技术实验室	21	79	6.0	8.0
5	徐遵图	北京工业大学光电子技术实验室	2	12	1.0	2.0