电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连

• 作者: 刘明 牛洁斌 谢常青 赵珉 陈宝钦
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻 抗蚀剂 高深宽比 倒塌 超临界二氧化碳干燥
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 63-68
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.01.012

摘要

首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系.除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况.在上述工作的基础上,提出了克服纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构倒塌与粘连的相应措施.其中,通过实验验证了超临界CO2干燥技术对于电子束抗蚀剂ZEP520A用于制作周期200 nm及150 nm、深宽比超过4的光栅图形结构具有良好的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	陈宝钦	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	361	11.0	16.0
3	谢常青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	258	9.0	12.0
4	牛洁斌	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	12	43	4.0	6.0
5	赵珉	湛江师范学院信息科技与技术学院	5	13	2.0	3.0