电子束加热与电阻加热蒸发锆膜的结构分析

• 作者: 刘锦华 周晓松 张晓红 彭述明 梁建华 龙兴贵
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 蒸发 锆 薄膜 电阻加热 电子束加热
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 992-995
• 分类号: TG113.11
• 语种: 中文

摘要

采用XRD与SEM分析了在钼衬底上电子束加热蒸发与电阻加热蒸发制备的锆膜的结构.结果表明,电子束加热蒸发与电阻加热蒸发在钼衬底上制备的锆膜为hcp结构；电子束加热蒸发的锆膜以(002)晶面生长为主,而电阻加热蒸发的则以(101)与(002)晶面生长为主；电阻加热蒸发的锆膜晶粒呈不规则堆积,大部分尺寸约为1 μm,少部分约为500 nm;电子束加热蒸发的锆膜织构强烈,晶粒规则,呈六棱柱型,尺寸约为300 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙兴贵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	123	496	10.0	16.0
2	彭述明	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	97	341	10.0	14.0
3	梁建华	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	30	63	4.0	5.0
4	周晓松	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	39	89	5.0	6.0
5	张晓红	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	23	51	3.0	7.0
6	刘锦华	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	8	12	3.0	3.0