CuBi3S5和CuBi3Se5化合物的制备及其光电性质研究

• 作者: 万松明 吕宪顺 张庆礼 殷绍唐 苗凤秀 顾桂新
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 光电性质 溶剂热法 四点探针法 霍尔效应 CuBi3S5 CuBi3Se5
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 激光技术与器件
• 页码范围: 558-563
• 分类号: O472.3|O472.4
• 字数: 2094字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.05.008

摘要

开展了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质.以水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,以CuCl、BiCl3和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法成功制备了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的多晶.采用四点探针法获得了这两种化合物的电阻随温度变化的关系,结果表明: CuBi3Se5呈金属性质,而CuBi3S5呈半导体性质.根据Arrhenius关系式计算出CuBi3S5室温下的热激活能为17.1 meV.在室温下对CuBi3S5多晶块体进行了霍尔效应实验,结果表明:其载流子浓度为3.75×1017 cm-3,霍尔迁移率为14 cm2V-1s-1,CuBi3S5为n型半导体.漫反射光谱的实验结果表明CuBi3S5的禁带宽度约为0.66 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆礼	中国科学院安徽光学精密机械研究所	60	592	14.0	22.0
2	殷绍唐	中国科学院安徽光学精密机械研究所	76	682	14.0	22.0
3	万松明	中国科学院安徽光学精密机械研究所	17	107	6.0	9.0
4	顾桂新	中国科学院安徽光学精密机械研究所	2	1	1.0	1.0
5	苗凤秀	中国科学院安徽光学精密机械研究所	1	1	1.0	1.0
6	吕宪顺	中国科学院安徽光学精密机械研究所	1	1	1.0	1.0