PC1D方法对铝背场钝化技术的分析

• 作者: 闫丽 高华
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 铝背场 背表面饨化 内量子效率 复合速率 少子寿命
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 49-52
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2011.04.013

摘要

降低单晶硅原材料成本，采用更薄的硅片作为太阳电池的原料是晶体硅太阳电池产业发展的趋势之一。对薄片化的太阳电池，铝背场的背表面钝化工艺显得愈加重要。采用PC1D太阳电池软件模拟的方法，对以商业用p型硅为衬底的单晶硅125×125太阳电池的铝背场的背表面钝化技术进行了模拟，分析得出，对一定厚度的电池片来说，尤其是当少数载流子的扩散长度大于硅片厚度时，背表而的复合速率对太阳电池效率的影响尤为明显。电池的效率随着铝背场结深的增加、背表面复合速率的降低、少数载流子寿命的提高而提高。铝背场能够改善背表面的钝化质量，降低背表面的复合速率，进而提高太阳能电池的光电转换效率，是目前商业化的晶体硅太阳电池普遍采用的背表面钝化技术。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高华		11	60	5.0	7.0
2	闫丽		1	11	1.0	1.0