硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响

• 作者: 任丙彦 傅洪波 励旭东 左燕 朱惠民 王文静 许颖 赵玉文 霍秀敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTP 氧沉淀 少子寿命 吸杂
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 942-945
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 2421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.010

摘要

采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响.铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用,并减少了载流子的复合中心,从而提高了光生载流子的扩散长度,提高了非平衡少子寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丙彦	河北工业大学材料研究中心	31	241	9.0	14.0
2	王文静		4	11	2.0	3.0
3	霍秀敏	河北工业大学材料研究中心	3	14	2.0	3.0
4	左燕	河北工业大学材料研究中心	5	67	4.0	5.0
5	励旭东		3	35	3.0	3.0
6	赵玉文		10	518	8.0	10.0
7	许颖		3	31	3.0	3.0
8	朱惠民		1	4	1.0	1.0
9	傅洪波		1	4	1.0	1.0