多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响

• 作者: 李佳艳 游小刚 谭毅 郭素霞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 电化学腐蚀 吸杂 电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 2364-2368,2379
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3069字
• 语种: 中文

摘要

多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭毅	大连理工大学材料科学与工程学院	50	241	10.0	13.0
5	李佳艳	大连理工大学材料科学与工程学院	22	66	5.0	7.0
9	游小刚	大连理工大学材料科学与工程学院	3	4	1.0	2.0
13	郭素霞	大连理工大学材料科学与工程学院	3	0	0.0	0.0