近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

• 作者: 侯志鹏 刘峰 刘蓓蓓 师宏立 张太民 徐江涛 李敏 祝婉娉 程耀进
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 近贴聚焦 成像器件 管体注铟 熔层气泡 铟锡合金层
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 58-60
• 分类号: TN383
• 字数: 2984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2011.05.013

摘要

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100％,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98％.