微光器件铟封漏气因素分析

• 作者: 师宏立 徐江涛 程耀进
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微光器件 铟封漏气 气密性 杂质污染
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TN105
• 字数: 1718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2008.05.014

摘要

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关.采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐江涛	西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室	21	106	6.0	9.0
2	程耀进	西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室	6	19	2.0	4.0
3	师宏立	西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室	3	6	1.0	2.0