GaN共振隧穿二极管及THz振荡器仿真

• 作者: 何寒冰 杨林安 梅楠 武小虎 郝跃
• 来源期刊: 新型工业化
• 关键词: GaN共振隧穿二极管 AlGaN/GaN异质结 界面陷阱
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 科研通讯
• 页码范围: 74-78
• 页数: 5页
• 字数: 1281字
• 语种: 中文

摘要

本文利用Silvaco软件对GaN共振隧穿二极管（GaN RTD）进行仿真，重点考虑了界面陷阱密度对GaN RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示，当密度大于5×1010 cm-2时，器件的负阻特性几乎消失；当密度在5×106 cm-2至5×109 cm-2时，器件负阻特性会随着测量次数的增加而退化。同时结合Hspice，对由GaN RTD构成的THz振荡器进行仿真，首次得到了陷阱密度对振荡器输出功率和RF转化效率交流特性影响的定量结果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子学院	17	95	6.0	9.0
3	武小虎	西安电子科技大学微电子学院	2	5	2.0	2.0
4	何寒冰	西安电子科技大学微电子学院	1	3	1.0	1.0
5	梅楠	西安电子科技大学微电子学院	1	3	1.0	1.0