扶手椅型氮化硼纳米带双空位缺陷第一性原理研究

• 作者: 张建民 郑芳玲
• 来源期刊: 陕西师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: BN纳米带 双空位缺陷 电子结构 能带结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 23-26
• 分类号: O562.1
• 字数: 1686字
• 语种: 中文

摘要

在广义梯度近似下,采用密度泛函理论框架下的第一性原理投影缀加波赝势方法,研究了扶手椅型氮化硼(BN)纳米带(锯齿边缘)双空位缺陷效应.结果表明:垂直双空位结构优化后形成一个14环,斜向双空位在奇数宽度纳米带中形成4-10-4环,而在偶数宽度纳米带中形成5-8-5环.这两种双空位的形成过程是吸热的,垂直双空位的形成能比斜向双空位的形成能高.随着BN纳米带宽度的增加,两种双空位的形成能均有减少.双空位的存在虽不改变BN纳米带的半导体特性,但改变了费米能级附近的能带结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建民	陕西师范大学物理学与信息技术学院	91	480	12.0	19.0
2	郑芳玲	陕西师范大学物理学与信息技术学院	1	1	1.0	1.0