单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构与电子性质研究

• 作者: 杨振清 林春丹 赵红伟 邵长金
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二硫化钼 空位缺陷 电子性质 密度泛函理论 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 1036-1040
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 1718字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了单硫空位缺陷扶手椅型二硫化钼纳米带(AMoS2NR)的结构与电子性质.结果表明,优化的AMoS2NR纳米带边缘上Mo原子较S原子向纳米带内侧收缩;引入空位缺陷后,边缘上Mo原子向纳米带内侧收缩加剧,稳定性降低;空位缺陷纳米带相比完整纳米带,带隙减小;同时,空位缺陷处原子部分态密度降低,相应的能带线分布稀疏.