半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器取得进展

• 作者: 郑冬冬
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 激射 锑化物 量子阱 分子束外延技术 中红外 工作温度 超晶格 光功率 分子束外延生长 国家重点实验室
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 15-16
• 页数: 2页
• 分类号: TN248

摘要

【正】近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度(T=80℃)连续激射,激射波长2μm出光功率63.7 mW,达到国内领先水平。中红外2—3.5μm波段激光器在