天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究

• 作者: 代君龙 卢铁城 唐彬 张松宝 敦少博 游草风 胡又文 胡强 范立伟 陈青云
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 天然Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 拉曼光谱 X射线荧光光谱
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 651-654
• 分类号: O469
• 字数: 2196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2011.03.031

摘要

采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品.通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小.当退火温度达到700℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱.采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质.薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光.