基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
美国加州大学伯克利分校常瑞华教授课题组成功地在硅上生长出了纳米柱Ⅲ—Ⅴ族半导体激光器,这一成果为光子学与电子电路的集成提供了新方法。之前,在硅上生长激光器面临的障碍主要来自以下两方面:
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 加州大学教授在硅上生长纳米柱激光器
来源期刊 功能材料信息 学科 工学
关键词 半导体激光器 美国加州大学 纳米柱 生长 电子电路 光子学
年,卷(期) gnclxx_2011,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 59
页数 1页 分类号 TN248.4
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2011(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
美国加州大学
纳米柱
生长
电子电路
光子学
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料信息
双月刊
32开
重庆市北碚区蔡家岗镇嘉德大道8号
2004
chi
出版文献量(篇)
7130
总下载数(次)
19
论文1v1指导