GaAs中带填充效应与带隙重整化效应的竞争

• 作者: 滕利华 王霞 赖天树
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 飞秒抽运-探测光谱 带填充效应 带隙重整化效应 载流子寿命
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 604-608
• 分类号: O473
• 语种: 中文

摘要

采用时间分辨线偏振光抽运-探测光谱研究常温下本征GaAs中载流子弛豫动力学,观察到饱和吸收和吸收增强现象.发现载流子浓度为2 × 1012 cm-3,探测光子能量小于1.549 eV时,饱和吸收现象比较明显,反之,有明显的吸收增强现象出现.载流子浓度大于7×1016cm-3的范围内,吸收增强信号随时问增大没有减弱的趋势,反而有继续增强的趋势.理论上,考虑带填充效应和带隙重整化效应的竞争,模拟得到与实验谱线相符合的结果.同时考虑带填充和带隙重整化效应,给出了用于拟合载流子寿命的新的经验公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	滕利华	青岛科技大学数理学院	9	7	2.0	2.0
2	赖天树	中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理系	28	108	7.0	9.0
3	王霞	青岛科技大学数理学院	24	91	6.0	9.0