| 篇名 | Two-dimensional analytical models for asymmetric fully depleted double-gate strained silicon MOSFETs | ||
| 来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
| 关键词 | strained-Si double-gate MOSFET surface potential short-channel effect | ||
| 年,卷(期) | 2011,(1) | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 566-572 | |
| 页数 | 7页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | 10.1088/1674-1056/20/1/017301 | ||