大面积六硼化镧薄膜阴极制备及性能

• 作者: 刘曾怡 曹贵川 林祖伦 王小菊 祁康成
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束蒸发 六硼化镧薄膜 蒸发角度 逸出功 大面积薄膜阴极
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1101-1104
• 分类号: TN132
• 字数: 2473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112304.1101

摘要

采用电子束蒸发方法在大面积玻璃基底和钽基底上沉积六硼化镧薄膜阴极.分别对玻璃基底上沉积的六硼化镧薄膜的生长取向、附着力与不同蒸发角度(0°,30°,45°和60°)的关系进行了研究;对钽基底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究.结果表明:在基底温度为250℃时,制备的六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点;蒸发角度为45°时,六硼化镧薄膜(100)晶面的晶格常数与靶材相差最小,晶粒较小;根据优化的工艺制备的六硼化镧薄膜阴极的逸出功为2.56 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
4	曹贵川	电子科技大学光电信息学院	22	97	5.0	9.0
5	刘曾怡	电子科技大学光电信息学院	3	21	3.0	3.0