适用于PDP的透明六硼化镧薄膜性能研究

• 作者: 刘曾怡 权祥 林祖伦 王小菊 邓维伟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束蒸发 硼化镧薄膜 透过率 逸出功 PDP
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 7-11
• 分类号: TN304.055|O484.4
• 字数: 2678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.01.002

摘要

采用电子束蒸发方法在商用PDP玻璃衬底和Ta衬底上沉积六硼化镧薄膜.分别对PDP玻璃衬底上沉积的六硼化镧薄膜的可见光范嗣内的透过率、薄膜生长取向和附着力进行了研究;对钽衬底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究.结果表明,制备的六硼化镧薄膜厚度为43nm时,在可见光范围内透过率大于90%,优于传统MgO保护层;六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点,薄膜的品格常数与靶材相差小于0.2‰,薄膜的晶粒细小,成膜致密均匀;制备的透明六硼化铡薄膜的逸出功为2.56 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
2	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
3	刘曾怡	电子科技大学光电信息学院	3	21	3.0	3.0
4	邓维伟	电子科技大学光电信息学院	3	9	1.0	3.0
6	权祥	电子科技大学光电信息学院	4	35	4.0	4.0