硼化镧薄膜的发射特性研究

• 作者: 时晴暄 李建军 林祖伦 王小菊
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 硼化镧薄膜 热发射 逸出功 Richardson直线法
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.06.010

摘要

LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源,但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究,本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测,使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比,薄膜显示出良好的发射特性,利用热发射测量逸出功,利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2.64 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
2	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
3	李建军	电子科技大学光电信息学院	6	38	3.0	6.0
4	时晴暄	电子科技大学光电信息学院	3	26	3.0	3.0