电子束蒸发沉积六硼化镧薄膜的逸出功

• 作者: 曹贵川 林祖伦 王小菊 祁康成 陈文彬
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 六硼化镧 逸出功 电子束蒸发 热发射 场发射
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 181-184
• 页数: 4页
• 分类号: O462
• 字数: 777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102201.0181

摘要

六硼化镧(LaB_6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料.而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB_6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力.为了测量LaB_6 薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB_6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析.通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB_6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB_6薄膜的逸出功,与块状LaB_6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB_6薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	陈文彬	电子科技大学光电信息学院	45	202	8.0	11.0
4	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
5	曹贵川	电子科技大学光电信息学院	22	97	5.0	9.0