氮化硼薄膜的场致发射特性

• 作者: 何志 冯伟 李英爱 王翠 赵永年 顾广瑞
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: BN薄膜 场发射 偏压
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 1960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.008

摘要

研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾广瑞	吉林大学超硬材料国家重点实验室	26	115	5.0	10.0
3	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0
4	何志	吉林大学超硬材料国家重点实验室	12	86	6.0	9.0
5	李英爱	吉林大学超硬材料国家重点实验室	17	82	6.0	8.0
8	王翠	青岛化工学院信控学院	5	85	2.0	5.0
9	冯伟	吉林大学超硬材料国家重点实验室	4	10	1.0	3.0