基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响

• 作者: 孙文斗 孙龙 李全军 李哲奎 盖同祥 赵永年 顾广瑞
• 来源期刊: 吉林大学学报(理学版)
• 学科: 工学
• 关键词: BN薄膜 场发射 基底温度 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 251-254
• 页数: 4页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2004.02.023

摘要

利用射频磁控溅射方法, 真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体, 在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜. 在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响. 基底温度为500 ℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜, 阈值电场为12 V/μm, 电场升到34 V/μm, 场发射电流为280 μA/cm2. 所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线, 表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾广瑞	延边大学理工学院	26	115	5.0	10.0
2	李哲奎	延边大学理工学院	10	58	5.0	7.0
3	李全军	延边大学理工学院	4	52	3.0	4.0
4	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0
5	孙龙	延边大学理工学院	2	7	1.0	2.0
6	盖同祥	延边大学理工学院	3	32	3.0	3.0