纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性

• 作者: 何志 李卫青 李英爱 殷红 赵永年 陶艳春 顾广瑞
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米氮化硼薄膜 场发射 厚度 功函数
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2003.01.003

摘要

利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380cm-1和780cm-1).在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大.由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾广瑞	吉林大学超硬材料国家重点实验室	26	115	5.0	10.0
3	陶艳春	吉林大学超分子结构和谱学开放实验室	18	99	5.0	9.0
4	何志	吉林大学超硬材料国家重点实验室	12	86	6.0	9.0
5	李英爱	吉林大学超硬材料国家重点实验室	17	82	6.0	8.0
8	殷红	吉林大学超硬材料国家重点实验室	10	35	4.0	5.0
9	李卫青	吉林大学超硬材料国家重点实验室	4	32	4.0	4.0