基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

• 作者: 李全军 李哲奎 李英爱 林景波 赵永年 郑伟涛 金曾孙 顾广瑞
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 化学
• 关键词: BN薄膜 场发射 偏压 粗糙度
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 化学
• 页码范围: 513-516
• 页数: 4页
• 分类号: O647.2
• 字数: 2195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2005.04.026

摘要

利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si(0.008～0.02 Ω·m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相. 在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F～N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑伟涛	吉林大学材料科学与工程学院	48	245	8.0	13.0
2	顾广瑞	延边大学理工学院	26	115	5.0	10.0
3	李哲奎	延边大学理工学院	10	58	5.0	7.0
4	林景波	延边大学理工学院	20	41	4.0	5.0
5	李全军	延边大学理工学院	4	52	3.0	4.0
6	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0
7	李英爱	吉林大学超硬材料国家重点实验室	17	82	6.0	8.0