氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

• 作者: 吴宝嘉 李全军 盖同祥 赵永年 金哲 顾广瑞
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射 BN薄膜 氮气分压
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 120-123
• 页数: 4页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.010

摘要

利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99 %)和高纯Ar(99.99 %)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响.随着氮气分压的增加,阈值电场逐渐升高,这是由于表面粗糙度的变化造成的.充入10 % N2情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好,开启电场为9 V/μm,当电场升高到24 V/μm,场发射电流为320 μA/cm2.所有样品的场发射FN曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0