氮气流量对氮化碳薄膜场致发射特性的影响

• 作者: 姚宁 张兵临 李会军 杨仕娥 王小平 边超 马丙现
• 来源期刊: 郑州大学学报(理学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 场致发射 氮化碳 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 57-58,83
• 页数: 3页
• 分类号: O462.4
• 字数: 1601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6841.2002.02.014

摘要

采用直流磁控溅射的方法,以镀Ti瓷片为衬底,改变N\-2和Ar的流量比,在衬底温度为400℃条件下制备了氮化碳薄膜,并对其场致发射特性进行研究,样品的开启电压为2.67V/μm,最大电流密度为17.31μA/cm2,比在同一系统制备的碳膜和用阴极电弧技术制备的氮化碳薄膜有更好的场发射特性.结果表明:溅射气体中氮气含量对氮化碳薄膜的场发射特性有较大的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚宁	郑州大学材料物理重点实验室	122	692	12.0	18.0
2	张兵临	郑州大学材料物理重点实验室	95	608	12.0	18.0
3	杨仕娥	郑州大学材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
4	马丙现	郑州大学材料物理重点实验室	19	120	6.0	10.0
5	李会军	郑州大学材料物理重点实验室	7	70	5.0	7.0
6	王小平	郑州大学材料物理重点实验室	22	77	4.0	8.0
7	边超	郑州大学材料物理重点实验室	7	135	5.0	7.0