沉积气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

• 作者: 李卫青
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频等离子体 氮化硼薄膜 场发射特性 阈值电场
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 352-356
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.4|O484.4
• 字数: 2817字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.03.018

摘要

利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征.通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌.在超高真空(＜5.0×10-7 Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性.实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射特性影响很大.BN薄膜的阈值电场随着沉积气压的升高而升高,发射极限电流随着沉积气压的升高而较小,但耐压特性提高.沉积气压为2 Pa时沉积的BN薄膜的场发射的阈值电场最低,为12 V/μm,当电场升高到27 V/μm时,场发射电流密度为140.6 μA/cm2;当沉积气压升高到5 Pa时,阈值电场升高为26 V/μm,当电场升高到59 V/μm时,发射电流密度为187.5 μA/cm2;沉积气压升高到15 Pa时的样品的阈值电场已经高达51 V/μm.所有BN薄膜的F-N曲线都符合F-N理论,表明电子发射是通过隧穿表面势垒完成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李卫青		1	2	1.0	1.0