氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响

• 作者: 何志 冯伟 刘艳梅 李卫青 李英爱 殷红 田野 白玉白 赵永年 陶艳春 顾广瑞
• 来源期刊: 吉林大学学报(理学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硼薄膜 场发射 厚度
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 352-355
• 页数: 4页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2003.03.033

摘要

利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124 nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1)结构. 在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性, 发现阈值电压随着厚度的增加而增大. 厚度为54 nm的BN薄膜样品阈值电场为10 V/μm, 当外加电场为23 V/μm时, 最高发射电流为240 μA/cm2. BN薄膜场发射F-N曲线表明, 在外加电场作用下, 电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.