六硼化镧场发射阴极阵列的制作及特性

• 作者: 林祖伦 王小菊 祁康成 蒋亚东 陈泽祥
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 六硼化镧(LaB6) 场发射阵列 氧化 刻蚀方法
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 304-308
• 页数: 5页
• 分类号: O462
• 字数: 439字
• 语种: 中文

摘要

采用氧等离子体氧化刻蚀工艺,制备出尖锐的六硼化镧(LaB6)微尖锥场发射阵列.在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能,得到了真空度为5×10-5 Pa 下的I-V曲线及相应的Fowler-Nordheim节点.结果表明,由于LaB6材料较低的逸出功,使得阴极的开启电压较小,开启场仅为7 V/μm.此外,将氧等离子体氧化刻蚀方法与氩氧等离子体刻蚀方法和电化学刻蚀方法进行了比较,表明氧等离子体氧化刻蚀方法是制备LaB6场发射阴极阵列的一种理想工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院	318	2024	18.0	25.0
4	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
5	陈泽祥	电子科技大学光电信息学院	32	217	9.0	13.0