场致发射阵列阴极制备工艺研究

• 作者: 李新义 祁康成 董建康 高峰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射阵列阴极 钼尖锥 六硼化镧 硅阵列
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1097-1100
• 页数: 4页
• 分类号: TN105
• 字数: 2438字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.007

摘要

在修改常规Spindt型阴极制备工艺的基础上制作出低电压驱动且具有亚微米栅极孔径的场发射阵列,采用硅的局部氧化工艺制备栅极绝缘层,利用硅的侧向氧化使栅极孔径降低到亚微米量级,腐蚀出微腔阵列,通过固定角度蒸发铝制作牺牲层,再利用电子束蒸发钼,在微腔里沉积钼尖锥,去除牺牲层,成功制备出钼尖锥场发射阵列.为了改善场发射性能,制作出了六硼化镧尖锥阵列.分别对钼尖锥阴极阵列和六硼化镧尖锥阴极阵列的场发射特性进行了测试.本文研究对场发射阵列在实际中应用有着重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	高峰	电子科技大学光电信息学院	8	30	4.0	5.0
3	李新义	电子科技大学光电信息学院	4	7	2.0	2.0
4	董建康	电子科技大学光电信息学院	3	8	2.0	2.0