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摘要:
实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列.设计了一套完整的工艺实验方案,首先采用微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜,然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列,从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备,微孔集成度达到108 cm-2.实验研究了氧气刻蚀聚苯乙烯微球的规律.采用金属掩膜,四氟化碳干法刻蚀二氧化硅,获得了深度为500 nm的微孔.实验结果证明该工艺方案是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法.
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文献信息
篇名 场发射冷阴极微栅孔阵列制备技术
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 微机电系统 自组装 微孔阵列 场发射冷阴极
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目 太赫兹产生与放大技术
研究方向 页码范围 1475-1478
页数 4页 分类号 TL530.3|O462.1
字数 1593字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20132506.1475
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微机电系统
自组装
微孔阵列
场发射冷阴极
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期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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