纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究

• 作者: 吴成昌 张生才 肖夏 赵新为
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶体硅量子点 场致发射 冷阴极 弹道电子
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳米材料及特性
• 页码范围: 357-358,362
• 页数: 3页
• 分类号: TN873
• 字数: 1224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.125

摘要

在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张生才		41	316	11.0	15.0
2	肖夏		26	91	6.0	7.0
3	吴成昌		2	4	1.0	2.0