纳米硅薄膜冷阴极研究进展

• 作者: 胡文波 贺芳
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅薄膜 隧道效应 冷阴极 电子发射
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 48-53
• 页数: 6页
• 分类号: O462
• 字数: 2952字
• 语种: 中文

摘要

纳米硅薄膜冷阴极是一种由大量表面覆盖有超薄氧化层的纳米硅晶构成的平面场发射阴极,具有结构简单、工作电压低、对环境气压不敏感和电子发射方向性好等优点,在真空纳电子器件和电子束器件领域具有潜在的应用前景.本文介绍了纳米硅薄膜冷阴极的结构、场电子发射机理、制作工艺、研究动态和发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡文波	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	32	92	5.0	7.0
2	贺芳	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	9	42	2.0	6.0