LaB6场发射阴极阵列的制备工艺研究

• 作者: 曹伟 林祖伦 王小菊 王本莲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: LaB6 场发射阴极阵列 半导体工艺 电化学腐蚀
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 277-280
• 页数: 4页
• 分类号: TN103
• 字数: 2264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.011

摘要

利用微细加工技术在单晶LaB;材料上制备出了场发射二极管阴极阵列.具体工作是结合半导体工艺,采用薄膜沉积、涂胶、曝光、显影、刻蚀以及电化学腐蚀等一系列工序制备出了性能良好的尖锥阵列.工作的重点是覆有掩膜层单晶LaB6材料的电化学腐蚀.通过大量实验摸索出了最佳的工艺参数(包括电解液类型及浓度、电解电流、电解时间等),得到了具有一定表面形貌及阵列高度且底面平整度良好的场发射阴极阵列.