LaB6复合型场发射阵列阴极的结构设计

• 作者: 王小菊 葛延槟 虞游 邓江
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ANSYS 场发射阵列阴极 发射体层 电阻层 过渡层
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子学工程与应用
• 页码范围: 311-316
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.02.025

摘要

为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层和六硼化镧发射体层.基于ANSYS平台模拟了该阴极中电阻层、过渡层和发射体层厚度对热应力场分布的影响,并根据仿真结果进行了实验验证.仿真结果表明,电阻层厚度不影响热应力场的分布,只是改变热应力的大小;随着电阻层厚度的增加,阴极最大热应力会减小;过渡层可以有效减缓发射层的热应力,且过渡层的厚度会影响热应力场的分布;当电阻层厚度为72 nm,过渡层厚度为200 nm,发射层厚度为728 nm时,阴极最为稳定.薄膜热应力测试结果与模拟结果基本一致,证实了引入过渡层和电阻层对于减小阴极热应力的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小菊	电子科技大学光电科学与工程学院	43	141	9.0	9.0
2	邓江	成都信息工程大学光电技术学院	5	4	1.0	1.0
3	虞游	成都信息工程大学光电技术学院	4	4	1.0	2.0
4	葛延槟		1	0	0.0	0.0