单晶LaB6场发射阵列的电化学腐蚀工艺

• 作者: 林祖伦 王小菊 王本莲 祁康成 蒋亚东
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 六硼化镧 单晶 场发射阵列阴极 电化学刻蚀
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1195-1198
• 页数: 4页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2295字
• 语种: 中文

摘要

六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键.在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列.讨论了单晶LaB6的电化学腐蚀机理.改变各种电化学腐蚀参数,包括电解液成分、电解液浓度、阳极所加电压,用电子扫描显微镜观察样品形貌.结果发现H3PO4是刻蚀单晶LaB6的理想电解液,它克服了过去电化学实验中经常遇到的尖锥各向异性问题.随着电解液浓度或阳极电压的增大,尖锥高度增加,但是基底表面变得更为粗糙.另一方面,阳极电压太小时,有横向刻蚀现象产生.不利于提高发射体的场增强因子.此外,在二极管结构中初步测试了LaB6尖锥场发射阵列的电流发射特性,在真空度2×10-4Pa、极间距离0.1 mm、阳极电压900 V下,发射电流达到13 mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院	318	2024	18.0	25.0
4	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
5	王本莲	电子科技大学光电信息学院	1	12	1.0	1.0