六硼化镧薄膜场致发射的特性

• 作者: 于涛 张强 朱炳金 王小菊 陈泽祥
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 六硼化镧 硅尖锥阵列 电子束蒸发 场致发射 阵列薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 561-566
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4|TN873.95
• 字数: 3242字
• 语种: 中文

摘要

阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜,以提高场发射阴极性能,它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法.在n型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等工艺,制备出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列,硅阵列中每个硅尖锥的底半径约2 μm,锥高约1.04 μm,每个硅尖之间间隔6 μm,尖端的曲率半径约50 nm,锥角约56°,尖锥阵列的密度约106/cm2.为了降低硅尖锥的功函数及提高抗离子轰击能力,通过电子束蒸发在硅尖阵列上沉积六硼化镧(LaB6)薄膜,薄膜的厚度大约50 nm,锥尖曲率半径变为约111 nm.X射线衍射(XRD)分析结果表明,电子束沉积在硅尖端的LaB6具有良好的结晶特性.硅尖锥及不同的真空度下阵列薄膜的场致发射I-V特性及电流发射稳定性的测试结果表明:沉积LaB6的薄膜阴极阵列的总发射电流达到125 μA,是纯硅尖锥阵列125倍.并且硅阵列六硼化镧薄膜具有良好的场发射稳定性,是一种理想的薄膜场发射阵列.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
2	陈泽祥	电子科技大学光电信息学院	32	217	9.0	13.0
3	张强	电子科技大学光电信息学院	9	48	4.0	6.0
4	于涛	电子科技大学光电信息学院	3	14	2.0	3.0
5	朱炳金	电子科技大学光电信息学院	5	44	4.0	5.0